Samsung 990 EVO Plus 1TB PCIe 5.0 NVMe SSD

SamsungPCIe 5.0desktop

PCIe 5.0 x4 · M.2 2280 · 1TB · TLC

Le Samsung 990 EVO Plus 1 To offre un excellent rapport performances-prix pour les utilisateurs exigeants. Ce SSD NVMe M.2 2280 exploite l'interface PCIe Gen 5.0 x4 avec rétrocompatibilité PCIe Gen 4.0 pour délivrer des vitesses séquentielles atteignant 7 250 MB/s en lecture et 6 300 MB/s en écriture. La puce NAND TLC V-NAND de 8e génération de Samsung, combinée au contrôleur Pablo, assure des performances constantes même lors de transferts prolongés. Le système TurboWrite intelligent adapte dynamiquement la taille du cache SLC pour optimiser les écritures. Avec une endurance de 600 TBW et une garantie de cinq ans, cette capacité de 1 To représente le choix idéal pour un disque système principal. Vous bénéficiez de temps de démarrage réduits, de chargements de jeux accélérés et d'une réactivité globale améliorée. L'architecture DRAM-less avec HMB maintient un profil énergétique contenu, ce qui en fait également un excellent choix pour les ordinateurs portables.

86

Global

90

Performance

80

Rapport qualité-prix

78

Efficacité

Endurance

Endurance TBW600 TB
Garantie5 years

Performance

Sequential Read13,000 MB/s
Sequential Write12,000 MB/s
Random Read 4K IOPS1,550,000 IOPS
Random Write 4K IOPS1,400,000 IOPS

Alimentation

Active Power7.0W

Stockage

Capacité1,024 GB
InterfacePCIe 5.0 x4 NVMe
Form FactorM.2 2280
NAND TypeV-NAND TLC
ContrôleurSamsung Pascal
DRAM CacheYes

Valeur

Prix par To$110/TB $/TB

Aléatoire

CrystalDiskMark RND4K Q32T1 Read
2,050 MB/s
CrystalDiskMark RND4K Q32T1 Write
1,840 MB/s

Conditions réelles

Adobe Premiere Export
54.1 seconds
File Copy 50GB
9.8 seconds
Game Load Time Cyberpunk 2077
4.4 seconds

Séquentiel

CrystalDiskMark SEQ1M Q8T1 Read
13,210 MB/s
CrystalDiskMark SEQ1M Q8T1 Write
11,450 MB/s

Soutenu

Sustained Write after SLC Cache
3,600 MB/s

Thermique

Max Temperature Under Load
68 °C

Adéquation par usage

Gaming
90/100

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